氮化钽靶材----氮化钽（Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。
用来制造精确片状电阻的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。 在制造集成电路的过程中，这些膜沉积在硅晶片的**部，以形成薄膜表面贴装电阻
氮化钽靶材合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。
利用磁控反应溅射技术制备了氮化钽薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技术研究了薄膜的微观结构。研究结果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒细小（１６ｎｍ左右）；同时还发现，在一定工作压力下，随着氮分压的提高，氮化物晶粒形成的取向改变，即平行于基体表面生长的晶面会有改变。
结果表明:随氮分压的增大,Ta N薄膜的微结构明显变化,同时Ta N薄膜的方阻也有显着增大趋势;随着沉积温度的提高,Ta N薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ω/□的薄膜;随着沉积时间的加长,Ta N薄膜的方阻也出现减小的现象;后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的Ta N薄膜
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